Ионно-лучевая литография

Ионно-лучевая литография (англ. ion beam lithography) — технология изготовления электронных микросхем, использующая литографический процесс с экспонированием (облучением) резиста ионными пучками нанометрового сечения с длиной волны 10-200 нм.

Источник: Википедия

а б в г д е ё ж з и й к л м н о п р с т у ф х ц ч ш щ э ю я